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MPSA70RLRF PDF预览

MPSA70RLRF

更新时间： 2024-09-23 13:11:47
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体放大器小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 429K
描述
100mA, 40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

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MPSA70RLRF 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.64
最大集电极电流 (IC)：0.1 A基于收集器的最大容量：4 pF
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：1.5 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：125 MHz
VCEsat-Max：0.25 VBase Number Matches：1

MPSA70RLRF 数据手册

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by MPSA70/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
PNP Silicon  
COLLECTOR  
3
2
BASE  
1
EMITTER  
1
2
3
CASE 29–04, STYLE 1  
TO–92 (TO–226AA)  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
V
V
–40  
–4.0  
–100  
Vdc  
Vdc  
CEO  
EBO  
Collector Current — Continuous  
I
C
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
Watts  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
83.3  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(1)  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = –1.0 mAdc, I = 0)  
V
–40  
–4.0  
—
—
—
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
C
B
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = –100 µAdc, I = 0)  
V
(BR)EBO  
E
C
Collector Cutoff Current  
(V = –30 Vdc, I = 0)  
I
–100  
nAdc  
CBO  
CB  
E
1. Pulse Test: Pulse Width  
300 s; Duty Cycle  
2.0%.  
Motorola, Inc. 1996  
12345678

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