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MPSA70RLRE

更新时间: 2024-09-23 13:00:51
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体放大器小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 429K
描述
100mA, 40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

MPSA70RLRE 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.4
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.1 A
基于收集器的最大容量:4 pF集电极-发射极最大电压:40 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):40
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:PNP功耗环境最大值:1.5 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):125 MHzVCEsat-Max:0.25 V
Base Number Matches:1

MPSA70RLRE 数据手册

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by MPSA70/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
PNP Silicon  
COLLECTOR  
3
2
BASE  
1
EMITTER  
1
2
3
CASE 29–04, STYLE 1  
TO–92 (TO–226AA)  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
CollectorEmitter Voltage  
EmitterBase Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
V
V
–40  
–4.0  
–100  
Vdc  
Vdc  
CEO  
EBO  
Collector Current — Continuous  
I
C
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
Watts  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
83.3  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(1)  
CollectorEmitter Breakdown Voltage  
(I = –1.0 mAdc, I = 0)  
V
–40  
–4.0  
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
C
B
EmitterBase Breakdown Voltage  
(I = –100 µAdc, I = 0)  
V
(BR)EBO  
E
C
Collector Cutoff Current  
(V = –30 Vdc, I = 0)  
I
–100  
nAdc  
CBO  
CB  
E
1. Pulse Test: Pulse Width  
300 s; Duty Cycle  
2.0%.  
Motorola, Inc. 1996  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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