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MPSA65LEADFREE

更新时间： 2024-09-23 21:00:43
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 661K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN

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MPSA65LEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantHTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.19最大集电极电流 (IC)：0.5 A
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：20000
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：1.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN (315)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

MPSA65LEADFREE 数据手册

 浏览型号MPSA65LEADFREE的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MPSA65LEADFREE的Datasheet PDF文件第3页 
MPSA62 MPSA65  
MPSA63 MPSA66  
MPSA64  
www.centralsemi.com  
DESCRIPTION:  
SILICON  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR MPSA62 series  
devices are silicon PNP Darlington transistors,  
manufactured by the epitaxial planar process, designed  
for applications requiring extremely high gain.  
PNP DARLINGTON TRANSISTORS  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-92 CASE  
MPSA63 MPSA65  
SYMBOL MPSA62 MPSA64 MPSA66  
UNITS  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Collector-Base Voltage  
UNITS  
V
A
V
20  
20  
10  
30  
30  
30  
30  
CBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
V
CES  
EBO  
V
10  
8.0  
Continuous Collector Current  
Power Dissipation  
I
500  
mA  
mW  
°C  
C
P
625  
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
-65 to +150  
200  
J
stg  
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
MPSA62 MPSA63 MPSA64 MPSA65 MPSA66  
SYMBOL TEST CONDITIONS  
MIN MAX MIN MAX MIN MAX MIN MAX MIN MAX UNITS  
I
I
I
I
V
V
V
V
=15V  
=30V  
=10V  
=8.0V  
-
100  
-
-
-
-
-
-
-
-
nA  
nA  
nA  
nA  
V
CBO  
CBO  
EBO  
EBO  
CB  
CB  
EB  
EB  
-
-
-
100  
-
100  
-
100  
-
100  
-
100  
-
100  
-
100  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100  
-
100  
BV  
I =100μA  
20  
-
30  
-
30  
-
30  
-
30  
-
CES  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(ON)  
BE(ON)  
FE  
C
V
V
V
V
I =10mA, I =10μA  
-
1.0  
-
-
-
-
-
-
-
-
V
C
B
I =100mA, I =0.1mA  
-
-
-
-
1.5  
-
-
1.5  
-
-
1.5  
-
-
1.5  
V
C
B
V
=5.0V, I =10mA  
-
1.4  
-
-
-
-
V
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
CE  
B
V
V
V
V
V
V
V
=5.0V, I =100mA  
-
-
-
-
-
-
-
2.0  
-
2.0  
-
2.0  
-
2.0  
V
B
h
h
=5.0V, I =10mA  
20K  
5K  
10K  
125  
-
-
-
-
-
10K  
20K  
125  
-
-
-
-
-
50K  
20K  
-
-
-
-
-
75K  
40K  
-
-
-
-
-
C
=5.0V, I =100mA  
-
-
-
FE  
C
f
f
=5.0V, I =100mA, f=100MHz  
MHz  
MHz  
pF  
T
C
=10V, I =30mA, f=50MHz  
100  
100  
T
C
C
=10V, I =0, f=100kHz  
2.5 (TYP) 2.5 (TYP) 2.5 (TYP) 2.5 (TYP) 2.5 (TYP)  
ob  
NF  
E
=5.0V, I =1.0mA,  
C
R =100kΩ, f=1.0kHz  
2.0 (TYP) 2.0 (TYP) 2.0 (TYP) 2.0 (TYP) 2.0(TYP)  
dB  
S
R1 (18-March 2014)  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MPSA65PBFREE CENTRAL

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MPSA65TRA CENTRAL

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