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MPSA62

更新时间： 2024-11-03 22:51:11
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管达林顿晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 160K
描述
Darlington Transistor

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MPSA62 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.66
最大集电极电流 (IC)：0.5 A配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：20000JEDEC-95代码：TO-226AA
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：PNP功耗环境最大值：1.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：125 MHz
VCEsat-Max：1 VBase Number Matches：1

MPSA62 数据手册

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by MPSA62/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
PNP Silicon  
COLLECTOR 3  
MPSA55, MPSA56  
BASE  
2
For Specifications,  
See MPSA05, MPSA06 Data  
*Motorola Preferred Device  
EMITTER 1  
MAXIMUM RATINGS  
MPSA63  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
MPSA62 MPSA64  
Unit  
Vdc  
V
–20  
–20  
–30  
–30  
CES  
CBO  
EBO  
V
V
Vdc  
–10  
Vdc  
1
Collector Current — Continuous  
I
–500  
mAdc  
C
2
3
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
P
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
D
Derate above 25°C  
CASE 29–04, STYLE 1  
TO–92 (TO–226AA)  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
Watts  
mW/°C  
A
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
83.3  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
Vdc  
(BR)CES  
(I = –100 µAdc, V  
BE  
= 0)  
MPSA62  
MPSA63, MPSA64  
–20  
–30  
—
—
C
Collector Cutoff Current  
I
nAdc  
nAdc  
CBO  
(V = –15 Vdc, I = 0)  
MPSA62  
MPSA63, MPSA64  
—
—
–100  
–100  
CB  
CB  
E
E
(V  
= –30 Vdc, I = 0)  
Emitter Cutoff Current  
(V = –10 Vdc, I = 0)  
I
—
–100  
EBO  
EB  
C
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1996
1234

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与MPSA62相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MPS-A62 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 20V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-92
MPSA62_05 ONSEMI

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 		Darlington Transistors PNP Silicon
MPSA62-18FLEADFREE CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92-18F, 3 PIN
MPSA62-5T1 CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92-5T1, 3 PIN
MPSA62APM CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
MPSA62APMLEADFREE CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
MPSA62APP CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
MPSA62APPLEADFREE CENTRAL

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MPSA62C ALLEGRO

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