MPSA56RLRF

更新时间： 2024-11-04 13:11:47

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	242K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92

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MPSA56RLRF 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.59
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	1.5 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz
VCEsat-Max：	0.25 V	Base Number Matches：	1

MPSA56RLRF 数据手册

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by MPSA05/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

COLLECTOR

BASE

NPN

PNP

EMITTER

Voltage and current are negative

for PNP transistors

MAXIMUM RATINGS

MPSA05

MPSA06

MPSA55

MPSA56

Rating

Symbol

Unit

Vdc

*Motorola Preferred Device

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

CEO

CBO

EBO

Vdc

4.0

Vdc

Collector Current – Continuous

500

mAdc

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

625

5.0

mW/°C

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

1.5

Watts

mW/°C

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T , T

stg

–55 to +150

°C

CASE 29–04, STYLE 1

TO–92 (TO–226AA)

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

(1)

Max

200

Unit

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Thermal Resistance, Junction to Case

83.3

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

(2)

Collector–Emitter Breakdown Voltage

Vdc

(BR)CEO

(I = 1.0 mAdc, I = 0)

MPSA05, MPSA55

MPSA06, MPSA56

—

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I = 100 µAdc, I = 0)

4.0

—

Vdc

µAdc

(BR)EBO

Collector Cutoff Current

(V = 60 Vdc, I = 0)

—

0.1

CES

Collector Cutoff Current

CBO

= 60 Vdc, I = 0)

MPSA05, MPSA55

MPSA06, MPSA56

—

0.1

= 80 Vdc, I = 0)

1. R

is measured with the device soldered into a typical printed circuit board.

2. Pulse Test: Pulse Width

300 s, Duty Cycle

2.0%.

Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.

Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

Motorola, Inc. 1996

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MPSA56RLRM	ONSEMI	获取价格	Amplifier Transistors
MPSA56RLRM	MOTOROLA	获取价格	500mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA56RLRMG	ONSEMI	获取价格	Amplifier Transistors
MPSA56RLRP	ONSEMI	获取价格	Amplifier Transistors
MPSA56RLRPG	ONSEMI	获取价格	Amplifier Transistors
MPSA56-S00Z	FAIRCHILD	获取价格	Transistor
MPSA56SMTA	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 C
MPSA56SMTC	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 C
MPSA56-STYLE-B	ALLEGRO	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
MPSA56-STYLE-D	ALLEGRO	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92

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