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MPSA14RLRPG PDF预览

MPSA14RLRPG

更新时间： 2024-09-23 04:39:15
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号双极晶体管达林顿晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
6页 72K
描述
Darlington Transistors NPN Silicon

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MPSA14RLRPG 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.06Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：20000
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：1.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：125 MHz
Base Number Matches：1

MPSA14RLRPG 数据手册

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MPSA13, MPSA14  
MPSA14 is a Preferred Device  
Darlington Transistors  
NPN Silicon  
Features  
http://onsemi.com  
• Pb−Free Packages are Available*  
COLLECTOR 3  
MAXIMUM RATINGS  
BASE  
2
Rating  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Symbol  
Value  
30  
Unit  
Vdc  
V
CES  
CBO  
EBO  
V
V
30  
Vdc  
EMITTER 1  
10  
Vdc  
Collector Current − Continuous  
Total Device Dissipation  
I
500  
mAdc  
C
P
P
D
D
MARKING DIAGRAM  
@ T = 25°C  
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
Total Device Dissipation  
@ T = 25°C  
Derate above 25°C  
1.5  
12  
W
mW/°C  
MPS  
A1x  
C
AYWWG  
TO−92  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
−55 to  
+150  
°C  
J
stg  
G
(TO−226AA)  
CASE 29−11  
STYLE 1  
1
2
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
3
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
R
200  
°C/mW  
q
JA  
x
A
Y
= 3 or 4  
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
= Pb−Free Package  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Case  
R
q
83.3  
°C/mW  
JC  
WW  
G
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
(Note: Microdot may be in either location)  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
June, 2005 − Rev. 3  
MPSA13/D  
123456

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MPSA14RLRPG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MPSA14RLRP ONSEMI

完全替代

 Darlington Transistors NPN Silicon
MPSA14RLRAG ONSEMI

完全替代

 Darlington Transistors NPN Silicon
MPSA14G ONSEMI

完全替代

 Darlington Transistors NPN Silicon

与MPSA14RLRPG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MPSA14-STYLE-F ALLEGRO

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
MPSA14-STYLE-H ALLEGRO

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
MPSA14T/R NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 500 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SC-43A, 3 PIN, BIP Ge
MPSA14T/R PHILIPS

获取价格

 		Transistor
MPSA14-T/R NXP

获取价格

 		500mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SC-43A, 3 PIN
MPS-A14T93 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
MPSA14TPE1 TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Smal
MPSA14TPE2 TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Smal
MPSA14TPER1 TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Smal
MPSA14TRB CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,

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