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MPSA13G

更新时间： 2024-11-27 04:39:15
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管达林顿晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 72K
描述
Darlington Transistors NPN Silicon

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MPSA13G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.14最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：10000JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：1.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：125 MHzBase Number Matches：1

MPSA13G 数据手册

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MPSA13, MPSA14  
MPSA14 is a Preferred Device  
Darlington Transistors  
NPN Silicon  
Features  
http://onsemi.com  
• Pb−Free Packages are Available*  
COLLECTOR 3  
MAXIMUM RATINGS  
BASE  
2
Rating  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Symbol  
Value  
30  
Unit  
Vdc  
V
CES  
CBO  
EBO  
V
V
30  
Vdc  
EMITTER 1  
10  
Vdc  
Collector Current − Continuous  
Total Device Dissipation  
I
500  
mAdc  
C
P
P
D
D
MARKING DIAGRAM  
@ T = 25°C  
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
Total Device Dissipation  
@ T = 25°C  
Derate above 25°C  
1.5  
12  
W
mW/°C  
MPS  
A1x  
C
AYWWG  
TO−92  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
−55 to  
+150  
°C  
J
stg  
G
(TO−226AA)  
CASE 29−11  
STYLE 1  
1
2
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
3
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
R
200  
°C/mW  
q
JA  
x
A
Y
= 3 or 4  
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
= Pb−Free Package  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Case  
R
q
83.3  
°C/mW  
JC  
WW  
G
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
(Note: Microdot may be in either location)  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
June, 2005 − Rev. 3  
MPSA13/D  
123456

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MPSA13G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MPSA13RLRPG ONSEMI

完全替代

 Darlington Transistors NPN Silicon
MPSA13RLRAG ONSEMI

类似代替

 Darlington Transistors NPN Silicon
MPSA13ZL1G ONSEMI

类似代替

 Darlington Transistors NPN Silicon

与MPSA13G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MPSA13G-AB3-R UTC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), NPN
MPSA13G-T92-A-B UTC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor
MPSA13G-T92-B UTC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), NPN
MPSA13G-T92-K UTC

获取价格

 		DARLINGTON TRANSISTOR
MPSA13J05Z TI

获取价格

 		500mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA13-J14Z TI

获取价格

 		30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
MPSA13-J22Z TI

获取价格

 		30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
MPSA13L-AB3-R UTC

获取价格

 		DARLINGTON TRANSISTOR
MPSA13L-T92-B UTC

获取价格

 		DARLINGTON TRANSISTOR
MPSA13L-T92-K UTC

获取价格

 		DARLINGTON TRANSISTOR

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