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MPS8050 PDF预览

MPS8050

更新时间： 2024-09-12 22:46:03
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2页 73K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH CURRENT)

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MPS8050 技术参数

生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.44
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：1.5 A
集电极-发射极最大电压：25 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：190 MHzBase Number Matches：1

MPS8050 数据手册

 浏览型号MPS8050的Datasheet PDF文件第2页 
SEMICONDUCTOR  
MPS8050  
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
HIGH CURRENT APPLICATION.  
B
C
FEATURE  
ᴌComplementary to MPS8550.  
DIM MILLIMETERS  
N
A
B
C
D
E
4.70 MAX  
4.80 MAX  
3.70 MAX  
0.45  
1.00  
1.27  
E
K
D
G
MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)  
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
RATING  
UNIT  
V
F
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
40  
25  
G
H
J
K
L
0.85  
0.45  
V
_
H
14.00 +0.50  
0.55 MAX  
2.30  
0.45 MAX  
1.00  
F
F
6
V
M
N
Collector Current  
1.5  
A
3
1
2
PC  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
625  
mW  
ᴱ
1. EMITTER  
2. BASE  
3. COLLECTOR  
Tj  
150  
Tstg  
Storage Temperature Range  
-55ᴕ150  
ᴱ
TO-92  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ᴱ)  
CHARACTERISTIC SYMBOL  
ICBO  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP.  
-
MAX. UNIT  
VCB=35V, IE=0  
Collector Cut-off Current  
IEBO  
V(BR)CBO  
-
-
100  
100  
-
nA  
nA  
V
VEB=6V, IC=0  
Emitter Cut-off Current  
-
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC=100ỌA, IE=0  
40  
25  
45  
85  
40  
-
-
V(BR)CEO  
hFE(1)  
hFE(2) (Note)  
hFE(3)  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
VBE  
IC=2mA, IB=0  
-
-
V
VCE=1V, IC=5mA  
VCE=1V, IC=100mA  
VCE=1V, IC=800mA  
IC=800mA, IB=80mA  
IC=800mA, IB=80mA  
VCE=1V, IC=10mA  
VCE=10V, IC=50mA  
VCB=10V, f=1MHz, IE=0  
135  
160  
110  
0.28  
0.98  
0.66  
190  
9
-
DC Current Gain  
300  
-
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Voltage  
0.5  
1.2  
1.0  
-
V
V
-
-
V
fT  
Transition Frequency  
100  
-
MHz  
pF  
Cob  
Collector Output Capacitance  
-
Note : hFE(2) Classification B:85ᴕ160 , C : 120ᴕ200 , D : 160ᴕ300  
1999. 10. 25  
Revision No : 1  
1/2  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		1000mA, 25V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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