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MPS751

更新时间： 2024-11-24 22:46:03
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安森美 - ONSEMI 晶体放大器晶体管
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4页 177K
描述
Amplifier Transistors

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by MPS650/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
COLLECTOR  
3
COLLECTOR  
3
2
2
BASE  
BASE  
NPN  
PNP  
Voltage and current are  
1
1
negative for PNP transistors  
EMITTER  
EMITTER  
*Motorola Preferred Devices  
MAXIMUM RATINGS  
MPS650  
MPS651  
MPS750  
MPS751  
Rating  
Symbol  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CE  
V
CB  
V
EB  
40  
60  
60  
80  
5.0  
2.0  
1
2
3
Collector Current — Continuous  
I
C
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
CASE 29–04, STYLE 1  
TO–92 (TO–226AA)  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
Watt  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
83.3  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(1)  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
Vdc  
(BR)CEO  
(I = 10 mAdc, I = 0)  
MPS650, MPS750  
MPS651, MPS751  
40  
60  
—
—
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 100 µAdc, I = 0 )  
V
Vdc  
(BR)CBO  
MPS650, MPS750  
MPS651, MPS751  
60  
80  
—
—
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 0, I = 10 µAdc)  
V
5.0  
—
Vdc  
(BR)EBO  
C
E
Collector Cutoff Current  
I
µAdc  
CBO  
(V  
CB  
(V  
CB  
= 60 Vdc, I = 0)  
MPS650, MPS750  
MPS651, MPS751  
—
—
0.1  
0.1  
E
= 80 Vdc, I = 0)  
E
Emitter Cutoff Current  
(V = 4.0 V, I = 0)  
I
—
0.1  
µAdc  
EBO  
EB  
C
1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 s, Duty Cycle = 2.0%.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1996  
1234

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MPS751 替代型号

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