MPS6523

更新时间： 2024-09-20 22:46:03

品牌	Logo	应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体放大器小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	792K
描述
Amplifier Transistors

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MPS6523 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.08	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	基于收集器的最大容量：	3.5 pF
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	300	JEDEC-95代码：	TO-226AA
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	1.5 W
最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	340 MHz
VCEsat-Max：	0.5 V	Base Number Matches：	1

MPS6523 数据手册

Order this document

by MPS6520/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

COLLECTOR 3

BASE

1 EMITTER

COLLECTOR 3

Voltage and current are negative

for PNP transistors

BASE

*Motorola Preferred Device

1 EMITTER

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

NPN

PNP

Unit

Collector–Emitter Voltage

Vdc

CEO

CBO

EBO

MPS6520, MPS6521

MPS6523

—

Collector–Base Voltage

Vdc

MPS6520, MPS6521

MPS6523

—

Emitter–Base Voltage

Collector Current — Continuous

4.0

Vdc

CASE 29–04, STYLE 1

TO–92 (TO–226AA)

100

mAdc

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

625

5.0

mW/°C

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

1.5

Watts

mW/°C

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T , T

J stg

–55 to +150

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Thermal Resistance, Junction to Ambient

(Printed Circuit Board Mounting)

200

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Case

83.3

°C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

OFF CHARACTERISTICS

Symbol

Min

Max

Unit

Collector–Emitter Breakdown Voltage

—

Vdc

Adc

(BR)CEO

(I = 0.5 mAdc, I = 0)

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I = 10 Adc, I = 0)

4.0

(BR)EBO

Collector Cutoff Current

CBO

= 30 Vdc, I = 0)

MPS6520, MPS6521

MPS6523

—

0.05

= 20 Vdc, I = 0)

Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.

M_Mot_oo_tor_ro_ol_la_a,S_Inm_{c. 1}a₉ll₉–₆Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

12 3 4 5 6 7...12

中文翻译

下载PDF

与MPS6523相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MPS6523/D10Z	NSC	获取价格	100mA, 25V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS6523/D10Z(OPTION5)	TI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
MPS6523/D10Z{OPTION18}	TI	获取价格	100mA, 25V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS6523/D10Z{OPTION5}	NSC	获取价格	100mA, 25V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS6523/D11Z	TI	获取价格	100mA, 25V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS6523/D11Z{OPTION18}	TI	获取价格	100mA, 25V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS6523/D26Z(OPTION18)	TI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
MPS6523/D26Z{OPTION18}	TI	获取价格	100mA, 25V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS6523/D27Z(OPTION5)	TI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
MPS6523/D27Z{OPTION18}	TI	获取价格	100mA, 25V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

与MPS6523相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

63
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

60
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

133
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

129

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MPS6523

MPS6523 技术参数

MPS6523 数据手册

与MPS6523相关器件

与MPS6523相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MPS6523

MPS6523 技术参数

MPS6523 数据手册

与MPS6523相关器件

与MPS6523相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？