MPS6507

更新时间： 2024-09-19 22:46:03

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	63K
描述
Amplifier Transistor(NPN Silicon)

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MPS6507 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TO-226AA, 3 PIN	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.2
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
基于收集器的最大容量：	2.5 pF	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	25
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	800 MHz
Base Number Matches：	1

MPS6507 数据手册

Order this document

by MPS6507/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

COLLECTOR

NPN Silicon

BASE

EMITTER

MAXIMUM RATINGS

Rating

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Symbol

Value

Unit

Vdc

CEO

CBO

EBO

3.0

Vdc

CASE 29–04, STYLE 1

TO–92 (TO–226AA)

Vdc

Collector Current — Continuous

mAdc

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

625

5.0

mW/°C

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

1.5

Watts

mW/°C

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T , T

–55 to +150

°C

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

200

Unit

°C/W

(1)

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Thermal Resistance, Junction to Case

83.3

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

(2)

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I = 1.0 mAdc, I = 0)

—

Vdc

(BR)CEO

Collector–Base Breakdown Voltage

(I = 100 Adc, I = 0)

(BR)CBO

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I = 100 Adc, I = 0)

3.0

(BR)EBO

Collector Cutoff Current

CBO

= 15 Vdc, I = 0)

—

1.0

nAdc

Adc

= 15 Vdc, I = 0, T = 60°C)

ON CHARACTERISTICS

(2)

DC Current Gain

(I = 2.0 mAdc, V

C CE

—

= 10 Vdc)

SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS

Current–Gain — Bandwidth Product

700

—

800

1.25

—

2.5

—

MHz

(I = 10 mAdc, V

C CE

= 10 Vdc, f = 100 MHz)

Output Capacitance

(V = 10 Vdc, I = 0, f = 1.0 MHz)

obo

Small–Signal Current Gain

(I = 2.0 mAdc, V = 10 Vdc, f = 20 MHz)

—

is measured with the device soldered into a typical printed circuit board.

1. R

2. Pulse Test: Pulse Width

300 s; Duty Cycle

2.0%.

M_Mot_oo_tor_ro_ol_la_a,S_Inm_{c. 1}a₉ll₉–₆Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

中文翻译

下载PDF

与MPS6507相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MPS6507-5T1	CENTRAL	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, NPN, TO-92, TO-92-5T1, 3 PIN
MPS6507APM	CENTRAL	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, NPN, TO-92,
MPS6507APP	CENTRAL	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, NPN, TO-92,
MPS6507APPLEADFREE	CENTRAL	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, NPN, TO-92,
MPS6507LEADFREE	CENTRAL	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, NPN, TO-92,
MPS6507TRA	CENTRAL	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, NPN, TO-92,
MPS6507TRC	CENTRAL	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, NPN, TO-92,
MPS6507TRD	CENTRAL	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, NPN, TO-92,
MPS6507TRE	CENTRAL	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, NPN, TO-92,
MPS6507TRELEADFREE	CENTRAL	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, NPN, TO-92,

与MPS6507相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

34
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

31
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

104
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

100

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MPS6507

MPS6507 技术参数

MPS6507 数据手册

与MPS6507相关器件

与MPS6507相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MPS6507

MPS6507 技术参数

MPS6507 数据手册

与MPS6507相关器件

与MPS6507相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？