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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> MPS6507
MPS6507 PDF预览

MPS6507

更新时间： 2024-11-07 22:46:03
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 63K
描述
Amplifier Transistor

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MPS6507 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.04最大集电极电流 (IC)：0.05 A
基于收集器的最大容量：2.5 pF集电极-发射极最大电压：20 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：25
JEDEC-95代码：TO-226AAJESD-30 代码：O-PBCY-W3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：1.5 W最大功率耗散 (Abs)：0.625 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：800 MHzBase Number Matches：1

MPS6507 数据手册

 浏览型号MPS6507的Datasheet PDF文件第2页 
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by MPS6507/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
COLLECTOR  
3
NPN Silicon  
2
BASE  
1
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS  
1
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
Vdc  
2
3
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
20  
30  
3.0  
50  
Vdc  
CASE 29–04, STYLE 1  
TO–92 (TO–226AA)  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
Watts  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
°C/W  
°C/W  
(1)  
R
JA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
83.3  
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(2)  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 1.0 mAdc, I = 0)  
V
V
20  
30  
—
—
—
—
—
—
Vdc  
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 100 Adc, I = 0)  
(BR)CBO  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 100 Adc, I = 0)  
V
3.0  
(BR)EBO  
E
C
Collector Cutoff Current  
I
CBO  
(V  
CB  
(V  
CB  
= 15 Vdc, I = 0)  
—
—
—
—
50  
1.0  
nAdc  
Adc  
E
= 15 Vdc, I = 0, T = 60°C)  
E
A
ON CHARACTERISTICS  
(2)  
DC Current Gain  
(I = 2.0 mAdc, V  
C CE  
h
FE  
25  
75  
—
—
= 10 Vdc)  
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS  
Current–Gain — Bandwidth Product  
f
700  
—
800  
1.25  
—
—
2.5  
—
MHz  
pF  
T
(I = 10 mAdc, V  
C CE  
= 10 Vdc, f = 100 MHz)  
Output Capacitance  
(V = 10 Vdc, I = 0, f = 1.0 MHz)  
C
obo  
CB  
Small–Signal Current Gain  
(I = 2.0 mAdc, V = 10 Vdc, f = 20 MHz)  
E
h
20  
—
fe  
C
CE  
is measured with the device soldered into a typical printed circuit board.  
1. R  
JA  
2. Pulse Test: Pulse Width  
300 s; Duty Cycle  
2.0%.  
Motorola, Inc. 1996
12

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MPS6507 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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MPS6507-5T1 CENTRAL

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MPS6507APM CENTRAL

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