5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MPS650
MPS650 PDF预览

MPS650

更新时间： 2024-11-07 22:46:03
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 177K
描述
Amplifier Transistors

阅读下载

中文翻译

获取价格

MPS650 数据手册

 浏览型号MPS650的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MPS650的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MPS650的Datasheet PDF文件第4页 
Order this document  
by MPS650/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
COLLECTOR  
3
COLLECTOR  
3
2
2
BASE  
BASE  
NPN  
PNP  
Voltage and current are  
1
1
negative for PNP transistors  
EMITTER  
EMITTER  
*Motorola Preferred Devices  
MAXIMUM RATINGS  
MPS650  
MPS651  
MPS750  
MPS751  
Rating  
Symbol  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CE  
V
CB  
V
EB  
40  
60  
60  
80  
5.0  
2.0  
1
2
3
Collector Current — Continuous  
I
C
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
CASE 29–04, STYLE 1  
TO–92 (TO–226AA)  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
Watt  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
83.3  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(1)  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
Vdc  
(BR)CEO  
(I = 10 mAdc, I = 0)  
MPS650, MPS750  
MPS651, MPS751  
40  
60  
—
—
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 100 µAdc, I = 0 )  
V
Vdc  
(BR)CBO  
MPS650, MPS750  
MPS651, MPS751  
60  
80  
—
—
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 0, I = 10 µAdc)  
V
5.0  
—
Vdc  
(BR)EBO  
C
E
Collector Cutoff Current  
I
µAdc  
CBO  
(V  
CB  
(V  
CB  
= 60 Vdc, I = 0)  
MPS650, MPS750  
MPS651, MPS751  
—
—
0.1  
0.1  
E
= 80 Vdc, I = 0)  
E
Emitter Cutoff Current  
(V = 4.0 V, I = 0)  
I
—
0.1  
µAdc  
EBO  
EB  
C
1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 s, Duty Cycle = 2.0%.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1996  
1234

中文翻译

下载PDF

MPS650 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MPS650 CDIL

功能相似

 NPN/PNP SILICON PLANAR AMPLIFIER TRANSISTORS
2SC3242A MITSUBISHI

功能相似

 Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO
KSC2328AY FAIRCHILD

功能相似

 Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92L, 3

与MPS650相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MPS650_07 ONSEMI

获取价格

 		Amplifier Transistors
MPS650-18 MOTOROLA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
MPS650-18R CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92-18R,
MPS650-5 MOTOROLA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
MPS6507 CDIL

获取价格

 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, NPN, TO-92, PLASTIC, T
MPS6507 ONSEMI

获取价格

 		Amplifier Transistor(NPN Silicon)
MPS6507 MOTOROLA

获取价格

 		Amplifier Transistor
MPS6507 CENTRAL

获取价格

 		20V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN RF Oscillator
MPS6507 NJSEMI

获取价格

 		Trans GP BJT NPN 20V 3-Pin TO-92
MPS6507-5T1 CENTRAL

获取价格

 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, NPN, TO-92, TO-92-5T1, 3 PIN

与MPS650相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证