MPS5179

更新时间： 2024-11-20 22:46:03

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捷特科 - ZETEX		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管局域网
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描述
NPN SILICON PLANAR HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

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MPS5179 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-W3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.04	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
基于收集器的最大容量：	1 pF	集电极-发射极最大电压：	12 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	25
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PSIP-W3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	最小功率增益 (Gp)：	15 dB
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	900 MHz	Base Number Matches：	1

MPS5179 数据手册

NPN SILICON PLANAR

MPS5179

HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

ISSUE 2 FEB 1994

FEATURES

HIGH f_T=900MHz MIN

MAX CAPACITANCE=1pF

LOW NOISE 5dB

APPLICATIONS

CORDLESS TELEPHONES

KEYLESS ENTRY SYSTEMS

WIDEBAND INSTRUMENTATION AMPLIFIERS

TELEMETRY

E-Line

TO92 Compatible

WIRELESS LANS

REMOTE METERING

TAGGING

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

2.5

Continuous Collector Current

Power Dissipation

°C

P_tot

500

Operating and Storage Temperature Range

T_j:T_stg

-55 to +200

Note: Spice model available

PAGE NO

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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MPS5179/D10Z	TI	获取价格	Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS5179/D10Z{OPTION18}	TI	获取价格	Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS5179/D11Z	TI	获取价格	Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS5179/D11Z(OPTION18)	TI	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, NPN, TO-92
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MPS5179/D26Z{OPTION18}	TI	获取价格	Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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MPS5179/D26Z-J18Z	TI	获取价格	UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR