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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MPS4250RL
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MPS4250RL

更新时间： 2024-11-26 13:11:47
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体小信号双极晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
4页 72K
描述
40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

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MPS4250RL 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.47Is Samacsys：N
其他特性：EUROPEAN PART NUMBER基于收集器的最大容量：6 pF
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：250JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：1.5 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
VCEsat-Max：0.25 VBase Number Matches：1

MPS4250RL 数据手册

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by MPS4250/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
PNP Silicon  
COLLECTOR  
3
2
BASE  
1
1
2
EMITTER  
3
MAXIMUM RATINGS  
CASE 29–04, STYLE 1  
TO–92 (TO–226AA)  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Value  
–40  
–40  
–40  
–5.0  
—
Unit  
Vdc  
V
CEO  
V
Vdc  
CES  
CBO  
EBO  
V
V
Vdc  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
mW  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
83.3  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = –5.0 mA)  
C
V
–40  
–40  
–40  
–5.0  
—
—
—
—
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
(BR)CES  
(1)  
Collector–Emitter Sustaining Voltage  
V
(BR)CEO(sus)  
(I = –5.0)  
C
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = –10 A)  
C
V
(BR)CBO  
(BR)EBO  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = –10 A)  
E
V
Collector Cutoff Current  
I
CBO  
(V  
CB  
(V  
CB  
= –50 V)  
= –40 V, T = 65°C)  
—
—
–10  
–3.0  
nA  
A
A
Emitter Cutoff Current  
(V = –3.0 V)  
I
—
–20  
nA  
EBO  
EB  
1. Pulse Test: Pulse Width = 300 s; Duty Cycle = 2.0%.  
Motorola, Inc. 1996
1234

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