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MPS3640RL1

更新时间： 2024-11-21 14:53:55
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
34页 338K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN

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MPS3640RL1 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.78
其他特性：EUROPEAN PART NUMBER最大集电极电流 (IC)：0.08 A
基于收集器的最大容量：3.5 pF集电极-发射极最大电压：12 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：20
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：PNP功耗环境最大值：1.5 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：500 MHz最大关闭时间（toff）：35 ns
最大开启时间（吨）：25 nsVCEsat-Max：0.6 V
Base Number Matches：1

MPS3640RL1 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
PNP Silicon  
COLLECTOR  
3
2
BASE  
1
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS  
1
2
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
3
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
–12  
–12  
–4.0  
–80  
Vdc  
Vdc  
CASE 29–04, STYLE 1  
TO–92 (TO–226AA)  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
Watts  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
83.3  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
–12  
–12  
–12  
–4.0  
—
—
—
—
Vdc  
Vdc  
(BR)CES  
V
CEO(sus)  
(I = –100 µAdc, V  
C BE  
= 0)  
(1)  
Collector–Emitter Sustaining Voltage  
(I = –10 mAdc, I = 0)  
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = –100 Adc, I = 0)  
V
Vdc  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = –100 Adc, I = 0)  
V
Vdc  
E
C
Collector Cutoff Current  
I
µAdc  
CES  
(V  
CE  
(V  
CE  
= –6.0 Vdc, V  
= –6.0 Vdc, V  
= 0)  
= 0, T = 65°C)  
—
—
–0.01  
–1.0  
BE  
BE  
A
Base Current  
(V = –6.0 Vdc, V  
I
B
—
–10  
nAdc  
= 0)  
CE  
EB  
1. Pulse Test: Pulse Width  
300 s, Duty Cycle  
2.0%.  
2–552  
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data  
1234567...34

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MPS3640RLRB MOTOROLA

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 		80mA, 12V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS3640RLRE MOTOROLA

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 		80mA, 12V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN
MPS3640RLRF MOTOROLA

获取价格

 		80mA, 12V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS3640RLRM MOTOROLA

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 		80mA, 12V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN
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