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MPK01N6

更新时间： 2024-11-26 21:20:19

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美微科 - MCC		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	81K
描述
Power Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 600V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92

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MPK01N6 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	雪崩能效等级（Eas）：	60 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	0.3 A	最大漏源导通电阻：	15 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	1.2 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MPK01N6 数据手册

MPK01N6

N-Channel POWER MOSFET

Features

ꢀ 600V, 350mA, Typical Rds(on) = 13Ω

ꢀ Extremely High dv/dt Capability

ꢀ 100% Avalanche Tested

ꢀ New High Voltage Benchmark

ꢀ Gate Charge Minimized

Application

ꢀ Low Power Battery Chargers

ꢀ Swith Mode Low Power Supplies

ꢀ Low Power, Ballast, CFL(Compact

Fluorescent Lamps)

TO-92

Advantage

ꢀ Easy to Mount

ꢀ Space Savings

ꢀ High Power Density

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_J= 25˚C unless otherwise noted

Symbol

V_DS

Parameter

Drain-Source Voltage

Limit

600

Units

V_GS

Gate-Source Voltage

Drain Current-Continuous (T_J=25℃)

Drain Current-Continuous (T_J=100℃)

Drain Current-Pulsed

0.3

I_D

0.189

1.2

I_DM

P_D

Total Power Dissipation @ T_J= 25˚C

Derating Factor

W/℃

0.25

E_AS

Single Pulsed Avalanche Energy

I_AR

Avalanche Current

0.8

4.5

V/ns

˚C

dv/dt

T_J,T_stg

Peak Diode Recovery voltage slope

Operating and Store Temperature Range

-55 to +150

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

Value

Units

˚C/W

R_θJ_C

R_θC_S

R_θJ_A

Thermal Resistance Junction-Case Max.

Thermal Resistance Case-Lead Max.

Thermal Resistance Junction-Ambient Max.

120

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MPK02N6	MCC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 7.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
MPK95-06DA	LITTELFUSE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 95A, 600V V(RRM), Silicon, TO-240AA, 0.039 INCH, TO-2
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