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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> MPF6661ZL1
MPF6661ZL1 PDF预览

MPF6661ZL1

更新时间： 2024-11-12 04:37:07
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关小信号场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
34页 317K
描述
TRANSISTOR 2000 mA, 90 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal

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MPF6661ZL1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.28其他特性：EUROPEAN PART NUMBER
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：90 V
最大漏极电流 (ID)：2 A最大漏源导通电阻：4 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：225
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MPF6661ZL1 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
N–Channel — Enhancement  
3 DRAIN  
2
GATE  
1 SOURCE  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Drain–Source Voltage  
Drain–Gate Voltage  
Symbol  
MPF6659 MPF6660 MPF6661  
Unit  
Vdc  
Vdc  
V
DS  
35  
35  
60  
60  
90  
90  
V
DG  
1
2
3
Gate–Source Voltage  
— Continuous  
— Non–repetitive (t ≤ 50 µs)  
V
±20  
±40  
Vdc  
Vpk  
GS  
CASE 29–05, STYLE 22  
TO–92 (TO–226AE)  
V
GSM  
p
Drain Current  
Adc  
(1)  
Continuous  
(2)  
I
2.0  
3.0  
D
Pulsed  
I
DM  
Total Device Dissipation  
P
D
@ T = 25°C  
2.5  
20  
Watts  
mW/°C  
C
Derate above 25°C  
Total Device Dissipation  
P
D
@ T = 25°C  
1.0  
8.0  
Watts  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Zero–Gate–Voltage Drain Current  
I
—
—
—
—
10  
µAdc  
nAdc  
Vdc  
DSS  
(V  
DS  
= Maximum Rating, V = 0)  
GS  
Gate–Body Leakage Current  
(V = 15 Vdc, V = 0)  
I
100  
GSS  
GS  
Drain–Source Breakdown Voltage  
(V = 0, I = 10 µAdc)  
DS  
V
(BR)DSX  
MPF6659  
MPF6660  
MPF6661  
35  
60  
90  
—
—
—
—
—
—
GS  
D
(2)  
ON CHARACTERISTICS  
Gate Threshold Voltage  
V
0.8  
1.4  
2.0  
Vdc  
Vdc  
GS(Th)  
(V  
DS  
= V , I = 1.0 mAdc)  
GS  
D
Drain–Source On–Voltage  
V
DS(on)  
(V  
GS  
= 10 Vdc, I = 1.0 Adc)  
MPF6659  
MPF6660  
MPF6661  
—
—
—
—
—
—
1.8  
3.0  
4.0  
D
(V  
GS  
= 5.0 Vdc, I = 0.3 Adc)  
MPF6659  
MPF6660  
MPF6661  
—
—
—
0.8  
0.9  
0.9  
1.5  
1.5  
1.6  
D
1. The Power Dissipation of the package may result in a lower continuous drain current.  
2. Pulse Test: Pulse Width  
300 µs, Duty Cycle  
2.0%.  
REV 2  
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data  
4–93  
1234567...34

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