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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.72 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 90 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 10 pF | JEDEC-95代码： | TO-226AE |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-W3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 2.5 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MPF6661RL | MOTOROLA |
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2000mA, 90V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
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| MPF6661RL1 | MOTOROLA |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 90V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| MPF6661RLRA | MOTOROLA |
获取价格 |
2000mA, 90V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
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| MPF6661RLRE | MOTOROLA |
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2000mA, 90V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
|
| MPF6661RLRF | MOTOROLA |
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暂无描述 |
|
| MPF6661RLRM | MOTOROLA |
获取价格 |
2000mA, 90V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
|
| MPF6661RLRP | MOTOROLA |
获取价格 |
2000mA, 90V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
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| MPF6661ZL1 | ONSEMI |
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TRANSISTOR 2000 mA, 90 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, PLASTIC, TO-226AE, 3 |
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| MPF7100BMBA0ES | NXP |
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7-channel power management integrated circuit for high performance applications |
|
| MPF7100BMMA0ES | NXP |
获取价格 |
7-channel power management integrated circuit for high performance applications |
|
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