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MPF6661

更新时间: 2023-12-18 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体开关晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 442K
描述
TMOS SWITCHING FET TRANSISTORS

MPF6661 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.72其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:90 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):2 A最大漏极电流 (ID):2 A
最大漏源导通电阻:4 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):10 pFJEDEC-95代码:TO-226AE
JESD-30 代码:O-PBCY-W3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:2.5 W
最大功率耗散 (Abs):2.5 W认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

MPF6661 数据手册

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