Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> MPF6660RLRM

MPF6660RLRM

更新时间： 2023-03-15 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		开关小信号场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
34页	317K
描述
2000mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MPF6660RLRM 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.27	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	2 A
最大漏源导通电阻：	3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MPF6660RLRM 数据手册

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

N–Channel — Enhancement

3 DRAIN

GATE

1 SOURCE

MAXIMUM RATINGS

Rating

Drain–Source Voltage

Drain–Gate Voltage

Symbol

MPF6659 MPF6660 MPF6661

Unit

Vdc

Gate–Source Voltage

— Continuous

— Non–repetitive (t ≤ 50 µs)

±20

±40

Vdc

Vpk

CASE 29–05, STYLE 22

TO–92 (TO–226AE)

GSM

Drain Current

Adc

(1)

Continuous

(2)

2.0

3.0

Pulsed

Total Device Dissipation

@ T = 25°C

2.5

Watts

mW/°C

Derate above 25°C

Total Device Dissipation

@ T = 25°C

1.0

8.0

Watts

mW/°C

Derate above 25°C

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T , T

J stg

–55 to +150

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Zero–Gate–Voltage Drain Current

—

µAdc

nAdc

Vdc

DSS

= Maximum Rating, V = 0)

Gate–Body Leakage Current

(V = 15 Vdc, V = 0)

100

GSS

Drain–Source Breakdown Voltage

(V = 0, I = 10 µAdc)

(BR)DSX

MPF6659

MPF6660

MPF6661

—

(2)

ON CHARACTERISTICS

Gate Threshold Voltage

0.8

1.4

2.0

Vdc

GS(Th)

= V , I = 1.0 mAdc)

Drain–Source On–Voltage

DS(on)

= 10 Vdc, I = 1.0 Adc)

MPF6659

MPF6660

MPF6661

—

1.8

3.0

4.0

= 5.0 Vdc, I = 0.3 Adc)

MPF6659

MPF6660

MPF6661

—

0.8

0.9

1.5

1.6

1. The Power Dissipation of the package may result in a lower continuous drain current.

2. Pulse Test: Pulse Width

300 µs, Duty Cycle

2.0%.

REV 2

Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

4–93

12 3 4 5 6 7...34

中文翻译

下载PDF

与MPF6660RLRM相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MPF6660RLRP	MOTOROLA	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
MPF6660ZL1	MOTOROLA	获取价格	2000mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
MPF6661	MOTOROLA	获取价格	TMOS SWITCHING FET TRANSISTORS
MPF6661RL	MOTOROLA	获取价格	2000mA, 90V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
MPF6661RL1	MOTOROLA	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 90V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
MPF6661RLRA	MOTOROLA	获取价格	2000mA, 90V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
MPF6661RLRE	MOTOROLA	获取价格	2000mA, 90V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
MPF6661RLRF	MOTOROLA	获取价格	暂无描述
MPF6661RLRM	MOTOROLA	获取价格	2000mA, 90V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
MPF6661RLRP	MOTOROLA	获取价格	2000mA, 90V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92

与MPF6660RLRM相关文章

Pickering新高压舌簧继电器亮相汽车测试博览会
2024-08-26

17
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
2024-08-23

34
解读L9904TR手册资料：产品概述、主要功能、电气参数
2024-08-20

35
芯片底部填充工艺：提升电子设备可靠性的关键步骤
2024-08-14

93

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MPF6660RLRM

MPF6660RLRM 技术参数

MPF6660RLRM 数据手册

与MPF6660RLRM相关器件

与MPF6660RLRM相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MPF6660RLRM

MPF6660RLRM 技术参数

MPF6660RLRM 数据手册

与MPF6660RLRM相关器件

与MPF6660RLRM相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？