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MPF6660RLRB

更新时间: 2024-01-18 19:04:59
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体开关小信号场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 442K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92

MPF6660RLRB 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.65Is Samacsys:N
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (ID):2 A最大漏源导通电阻:3 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:2.5 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

MPF6660RLRB 数据手册

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