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MP18N50EI

更新时间： 2024-04-09 19:02:05

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华微电子 - JSMC		/
页数	文件大小	规格书
10页	1398K
描述
TO-220C

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MP18N50EI 数据手册

N 沟道增强型场效应晶体管

N- CHANNEL MOSFET

MP18N50EI

主要参数 MAIN CHARACTERISTICS

封装 Package

18 A

VDSS

500 V

Rdson-max（@Vgs=10V） 0.27Ω

Qg-typ

67.8nC

APPLICATIONS

 High efficiency switch

mode power supplies

 Electronic lamp ballasts

based on half bridge

 UPS

用途

 高频开关电源

 电子镇流器

 UPS 电源

产品特性

低栅极电荷

FEATURES

Low gate charge

低 C_rss(典型值 32.6pF)

开关速度快

Low C_rss(typical 32.6pF )

Fast switching

产品全部经过雪崩测试

高抗 dv/dt 能力

RoHS 产品

100% avalanche tested

Improved dv/dt capability

RoHS product

订货信息 ORDER MESSAGE

订货型号 Order codes

无卤-条管有卤-编带

印记

李大喆

Marking

2023-09-22

封装

耿利红

无卤-编带

2023-09-25

有卤-条管

Package

Halogen-Tube Halogen-Free-Tube Halogen-Reel Halogen-Free-Reel

MP18N50EI-F-B

MP18N50EI-C-B

MP18N50EI-F-BR

MP18N50EI-C-BR

N/A

MP18N50EI

TO-220MF

TO-220C

版本：202309B

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