5秒后页面跳转
MP03HBN360-08 PDF预览

MP03HBN360-08

更新时间: 2024-09-24 20:31:19
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网栅极
页数 文件大小 规格书
10页 405K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 352000mA I(T), 800V V(RRM),

MP03HBN360-08 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.07
Is Samacsys:N最大直流栅极触发电流:150 mA
最大直流栅极触发电压:3 V快速连接描述:G
螺丝端子的描述:A-K-AK最大漏电流:30 mA
通态非重复峰值电流:10600 A最大通态电压:1.42 V
最大通态电流:352000 A最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C重复峰值反向电压:800 V
子类别:Silicon Controlled RectifiersBase Number Matches:1

MP03HBN360-08 数据手册

 浏览型号MP03HBN360-08的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MP03HBN360-08的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MP03HBN360-08的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MP03HBN360-08的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MP03HBN360-08的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MP03HBN360-08的Datasheet PDF文件第7页 

与MP03HBN360-08相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MP03HBN360-10 MICROSEMI

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 352000mA I(T), 1000V V(RRM),
MP03HBN360-10 DYNEX

获取价格

Dual Thyristor, Thyristor/Diode Module
MP03HBN360-12 DYNEX

获取价格

Dual Thyristor, Thyristor/Diode Module
MP03HBN360-12 MICROSEMI

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 352000mA I(T), 1200V V(RRM),
MP03HBN360-14 DYNEX

获取价格

Dual Thyristor, Thyristor/Diode Module
MP03HBN360-16 DYNEX

获取价格

Dual Thyristor, Thyristor/Diode Module
MP03HBN360-18 DYNEX

获取价格

Dual Thyristor, Thyristor/Diode Module
MP03HBP130-16 MICROSEMI

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 134000mA I(T), 1600V V(RRM),
MP03HBP130-18 DYNEX

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 210A I(T)RMS, 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element, MP03, 5
MP03HBP130-18 MICROSEMI

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 134000mA I(T), 1800V V(RRM),