2N6251

更新时间： 2024-02-20 20:28:47

品牌	Logo	应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体晶体管功率双极晶体管开关高压局域网
页数	文件大小	规格书
6页	100K
描述
High Voltage NPN Silicon Power Transistors

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N6251 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-3
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.06	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	275 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	6	JEDEC-95代码：	TO-204AA
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	2.5 MHz	Base Number Matches：	1

2N6251 数据手册

Order this document

by 2N6251/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

15 AMPERE

POWER TRANSISTOR

NPN SILICON

. . . designed for high voltage inverters, switching regulators and line operated

amplifier applications. Especially well suited for switching power supply applications.

350 VOLTS

•

High Voltage Breakdown Rating

Low Saturation Voltages

Fast Switching Capability

175 WATTS

High E

Energy Handling Capability

S/b

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Collector–Emitter Voltage (1)

Collector–Base Voltage (1)

Emitter–Base Voltage

350

375

450

6.0

Vdc

Adc

CEO(sus)

CASE 1–07

TO–204AA

(TO–3)

CER(sus)

Collector Current — Continuous**

— Peak

Base Current — Continuous (1)

— Peak

Adc

Emitter Current — Continuous

— Peak

Total Power Dissipation @ T = 25 C

175

100

1.0

Watts

@ T = 100 C

Derate above 25 C*

W/ C

Operating and Storage Junction (1)

Temperature Range

T , T

–65 to +200

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

1.0

C/W

θJC

Maximum Lead Temperature for Soldering

Purposes: 1/8” from Case for 5 Seconds

275

(1) Indicates JEDEC Registered Data.

**JEDEC Registered Value is 10 A, Motorola Guaranteed Value is 15 A.

100

SECOND BREAKDOWN

DERATING

THERMAL

DERATING

120

160

200

, CASE TEMPERATURE (°C)

Figure 1. Power Derating

REV 1

3_M–1_ot0_o4_{rola, Inc. 1995}

Motorola Bipolar Power Transistor Device Data

12 3 4 5 6

下载PDF

与2N6251相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N6253	SEME-LAB	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package	获取价格
2N6253	CENTRAL	POWER TRANSISTORS TO-3 CASE	获取价格
2N6253	ISC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2N6253	SAVANTIC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2N6253	JMNIC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2N6253	COMSET	HIGH POWER SILICON NPN TRANSISTORS	获取价格