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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> 2N5555
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2N5555

更新时间： 2024-02-24 02:49:40
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体小信号场效应晶体管开关
页数 文件大小 规格书
8页 275K
描述
CASE 29.04, STYLE 5 TO-92 (TO-226AA)

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2N5555 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.66配置：SINGLE
最大漏源导通电阻：150 ΩFET 技术：JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：1.2 pFJEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：DEPLETION MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2N5555 数据手册

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by 2N5555/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
N–Channel — Depletion  
1 DRAIN  
3
GATE  
2 SOURCE  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Drain–Source Voltage  
Drain–Gate Voltage  
Gate–Source Voltage  
Forward Gate Current  
Symbol  
Value  
Unit  
V
25  
25  
25  
10  
Vdc  
Vdc  
DS  
DG  
GS  
1
V
V
I
2
3
Vdc  
mAdc  
CASE 29–04, STYLE 5  
TO–92 (TO–226AA)  
GF  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
350  
2.8  
mW  
mW/°C  
C
Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
T
–65 to +150  
–65 to +150  
°C  
°C  
J
T
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Gate–Source Breakdown Voltage (I = 10 µAdc, V  
= 0)  
V
(BR)GSS  
25  
—
—
Vdc  
G
DS  
Gate Reverse Current (V  
GS  
= 15 Vdc, V  
= 0)  
I
1.0  
nAdc  
DS  
GSS  
Drain Cutoff Current (V  
Drain Cutoff Current (V  
= 12 Vdc, V  
= 12 Vdc, V  
= –10 V)  
= –10 V, T = 100°C)  
I
—
—
10  
2.0  
nAdc  
µAdc  
DS  
DS  
GS  
GS  
D(off)  
A
ON CHARACTERISTICS  
(1)  
Zero–Gate–Voltage Drain Current  
I
15  
—
—
—
—
1.0  
1.5  
150  
mAdc  
Vdc  
DSS  
(V  
DS  
= 15 Vdc, V  
= 0)  
GS  
Gate–Source Forward Voltage  
(I = 1.0 mAdc, V = 0)  
V
GS(f)  
G(f) DS  
Drain–Source On–Voltage  
(I = 7.0 mAdc, V = 0)  
V
Vdc  
DS(on)  
DS(on)  
D
GS  
Static Drain–Source On Resistance  
(I = 0.1 mAdc, V = 0)  
r
Ohms  
D
GS  
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS  
Small–Signal Drain–Source “ON” Resistance  
r
—
—
—
150  
5.0  
1.2  
Ohms  
pF  
ds(on)  
(V  
GS  
= 0, I = 0, f = 1.0 kHz)  
D
Input Capacitance  
(V = 15 Vdc, V  
C
iss  
= 0, f = 1.0 MHz)  
GS  
DS  
Reverse Transfer Capacitance  
(V = 0, V = 10 Vdc, f = 1.0 MHz)  
C
pF  
rss  
DS  
GS  
SWITCHING CHARACTERISTICS  
Turn–On Delay Time  
Rise Time  
(V  
= 10 Vdc, I  
= 7.0 mAdc,  
= –10 Vdc) (See Figure 1)  
t
t
—
—
—
—
5.0  
5.0  
15  
ns  
ns  
ns  
ns  
DD  
D(on)  
d(on)  
V
= 0, V  
GS(on)  
GS(off)  
t
r
Turn–Off Delay Time  
Fall Time  
(V  
= 10 Vdc, I  
= 7.0 mAdc,  
= –10 Vdc) (See Figure 1)  
DD  
D(on)  
d(off)  
V
= 0, V  
GS(on)  
GS(off)  
t
f
10  
1. Pulse Test: Pulse Width < 300 µs, Duty Cycle < 3.0%.  
Motorola, Inc. 1997  
12345678

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