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MMV02P063UK

更新时间: 2023-12-06 20:08:29
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先科 - SWST /
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6页 340K
描述
小信号金氧半電晶體

MMV02P063UK 数据手册

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MMV02P063UK  
P-Channel Enhancement Mode MOSFET  
Drain  
Applications  
6 D  
5 D  
4 S  
D 1  
D 2  
G 3  
D
S
Portable appliances  
Battery management  
Gate  
High speed switch  
• Low power DC to DC Converter  
Source  
1. Drain 2. Drain 3. Gate  
4. Sourse 5. Drain 6. Drain  
DFN2020-6HA Plastic Package  
Absolute Maximum Ratings(Ta = 25)  
Parameter  
Symbol  
-VDS  
VGS  
-ID  
Value  
Unit  
V
Drain-Source Voltage  
20  
Gate-Source Voltage  
± 8  
V
Continuous Drain Current  
5
45  
A
Pulsed Drain Current 1)  
Power Dissipation  
-IDM  
PD  
A
1.5  
W
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
Tj  
- 55 to + 150  
- 55 to + 150  
Tstg  
Thermal Characteristics  
Parameter  
Symbol  
RθJA  
Max.  
83.3  
Unit  
Thermal Resistance from Junction to Ambient 2)  
℃/W  
1) Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature TJ(MAX) = 150°C.  
2) Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate.  
®
1 / 6  
Dated: 18/12/2020 Rev: 01  

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