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MMV02P063UK

更新时间： 2024-11-25 14:54:35

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小信号金氧半電晶體

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MMV02P063UK 数据手册

MMV02P063UK

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Applications

6 D

5 D

4 S

D 1

D 2

G 3

• Portable appliances

• Battery management

Gate

• High speed switch

• Low power DC to DC Converter

Source

1. Drain 2. Drain 3. Gate

4. Sourse 5. Drain 6. Drain

DFN2020-6HA Plastic Package

Absolute Maximum Ratings(T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

-V_DS

V_GS

-I_D

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

± 8

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ¹⁾

Power Dissipation

-I_DM

P_D

1.5

℃

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

T_j

- 55 to + 150

T_stg

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

83.3

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

℃/W

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate.

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Dated: 18/12/2020 Rev: 01

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