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MMV02P025USK

更新时间： 2024-11-25 14:55:47

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描述
小信号金氧半電晶體

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MMV02P025USK 数据手册

MMV02P025USK

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• Surface-mounted package

• Built-in G-S Protection Diode

• Typical ESD Protection HBM Class 2

Drain

6 D

5 D

4 S

D 1

D 2

G 3

Gate

Classification Voltage Range(V)

< 125

1. Drain 2. Drain 3. Gate

4. Sourse 5. Drain 6. Drain

Source

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

DFN2020-6HMA Plastic Package

Application

• DC/DC Converter

• Boost Converter

• Load Switch

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Symbol

Value

Unit

Parameter

-V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

± 12

-I_D

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

-I_DM

P_tot

Power Dissipation ²⁾

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J,T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

62.5

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,limited by T_J(MAX)

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate.

℃/W

1 / 6

Dated: 15/05/2023 Z Rev:02

12 3 4 5 6

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