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MMUN2218LT1G

更新时间： 2023-09-03 20:37:52
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 200K
描述
NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)

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MMUN2218LT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：SOT-23, 3 PINReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.76其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：40
JEDEC-95代码：TO-236JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.4 W表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
VCEsat-Max：0.25 VBase Number Matches：1

MMUN2218LT1G 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
PIN CONNECTIONS  
Digital Transistor (BRT)  
PIN 3  
COLLECTOR  
(OUTPUT)  
R1 = 1.0 kW, R2 = 10 kW  
NPN Transistors with Monolithic Bias  
Resistor Network  
PIN 1  
BASE  
(INPUT)  
R1  
R2  
PIN 2  
EMITTER  
(GROUND)  
MMUN2218L  
This digital transistor is designed to replace a single device and its  
external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT)  
contains a single transistor with a monolithic bias network consisting  
of two resistors; a series base resistor and a base−emitter resistor. The  
BRT eliminates these individual components by integrating them into  
a single device. The use of a BRT can reduce both system cost and  
board space.  
MARKING DIAGRAM  
SOT−23  
CASE 318  
STYLE 6  
AA6 MG  
G
1
Features  
AA6  
M
G
= Specific Device Code  
• Simplifies Circuit Design  
• Reduces Board Space  
• Reduces Component Count  
=
=
Date Code*  
Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
*Date Code orientation may vary depending up-  
on manufacturing location.  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C)  
A
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
Rating  
Collector−Base Voltage  
Collector−Emitter Voltage  
Collector Current − Continuous  
Input Forward Voltage  
Symbol  
Max  
50  
Unit  
Vdc  
V
CBO  
V
CEO  
50  
Vdc  
I
C
100  
30  
mAdc  
Vdc  
V
IN(fwd)  
Input Reverse Voltage  
V
IN(rev)  
5
Vdc  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2015  
1
Publication Order Number:  
November, 2021 − Rev. 2  
MMUN2218L/D  
123456

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