MMUN2211

更新时间： 2024-02-13 07:21:52

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WEITRON		晶体小信号双极晶体管
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10页	439K
描述
Bias Resistor Transistor NPN Silicon

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MMUN2211 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	35	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	0.2 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MMUN2211 数据手册

MMUN2211 Series

COLLECTOR

Bias Resistor Transistor

NPN Silicon

BASE

P b

Lead(Pb)-Free

EMITTER

SOT-23

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

VCEO

Value

Unit

Vdc

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Vdc

VCBO

100

mAdc

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

Value

Unit

Total Device Dissipation FR-5 Board (1)

mW / ℃

246

1.6

T = 25℃

Derate above

25℃

625

℃/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient (1)

Junction and Storage,Temperature

1. FR-4 @ minimun pad

TJ,Tstg

℃

-65 to +150

Device Marking and Resistor Values

Device

Marking

R1(k)

R2(k)

Device

Marking

R1(k)

R2(k)

MMUN2211

MMUN2212

MMUN2213

MMUN2214

MMUN2215

MMUN2216

MMUN2230

MMUN2231

A8A

A8B

A8C

A8D

A8E

A8F

A8G

A8H

4.7

1.0

2.2

∞

1.0

2.2

MMUN2232

MMUN2233

MMUN2234

MMUN2235

MMUN2238

MMUN2241

A8J

A8K

A8L

A8M

A8R

A8U

4.7

∞

2.2

100

∞

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

1/10

Rev.A 30-Dec-05

12 3 4 5 6 7...10

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