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MMST5551

更新时间： 2024-01-18 11:58:54

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描述
Ultra-Small Surface Mount Package

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MMST5551 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.72
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	集电极-发射极最大电压：	160 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

MMST5551 数据手册

Product specification

MMST5551

Unit:mm

SOT-323

1.3±0.1

0.65

■ Features

●

Ultra-Small Surface Mount Package

●

Ideal for Medium Power Amplification and Switching

+0.05

0.1

0.3±0.1

2.1±0.1

-0.02

● Complementary PNP Type Available (MMST5401)

1 Emitter

2 Base

3 Collector

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Collector-base voltage

Symbol

VCBO

VCEO

VEBO

Rating

Unit

180

Collector-emitter voltage

160

Emitter-base voltage

0.6

Collector current-continuous

Collector Power Dissipation

Junction and storage temperature

200

TJ, Tstg

-55 to +150

℃

■ Electrical Characteristics Ta = 25℃

Parameter

Symbol

Test conditions

Min

Typ Max

Unit

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage *

Emitter-base breakdown voltage

Collector cutoff current

V(BR)CBO IC = 100 μA, IE = 0

V(BR)CEO IC = 1.0 mA, IB = 0

V(BR)EBO IE = 10 μA, IC = 0

180

160

ICBO

IEBO

VCB = 120 V, IE = 0

VEB = 4.0 V, IC = 0

Emitter cutoff current

IC = 1.0 mA, VCE = 5 V

IC = 10 mA, VCE = 5 V

IC = 50 mA, VCE = 5 V

IC = 10 mA, IB = 1.0 mA

IC = 50 mA, IB = 5.0 mA

IC = 10 mA, IB = 1.0 mA

IC = 50 mA, IB = 5.0 mA

VCE=10V,IC=10mA,f=100MHz

VCB=10V,IE=0,f=1MHz

VBE=0.5V,IC=0,f=1MHz

100

DC current gain

hFE

300

0.15

0.2

1.0

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

VCE(sat)

VBE(sat)

Transiston frequency

Collector output capacitance

Input capacitance

100

300 MHz

Cob

Cib

VCE=5V,Ic=0.25mA,

f=10Hz to 15.7KHz,Rs=1kΩ

Noise figure

* Pulse Test: Pulse Width = 300 μs, Duty Cycle=2.0%.

■ Marking

Marking

K4N

http://www.twtysemi.com

1 of 1

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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