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MMST5551

更新时间： 2024-02-14 11:09:33

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银河微电 - BL Galaxy Electrical		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	158K
描述
NPN General Purpose Transistor

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MMST5551 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.72
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	集电极-发射极最大电压：	160 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

MMST5551 数据手册

BL Galaxy Electrical

Production specification

NPN General Purpose Transistor

MMST5551

FEATURES

Lead-free

Epitaxial planar die construction.

Complementary PNP type available

(MMST5401).

Also available in lead free version.

APPLICATIONS

Ideal for medium power amplification and switching.

SOT-323

ORDERING INFORMATION

Type No.

Marking

K4N

Package Code

MMST5551

SOT-323

MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

UNIT

collector-base voltage

collector-emitter voltage

emitter-base voltage

collector current (DC)

Collector dissipation

junction and storage temperature

180

160

0.6

P_C

0.3

°C

T_j,T_stg

-55-150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Parameter

Test conditions

MIN. MAX. UNIT

Collector-base breakdown voltage

I_C=100μA,I_E=0

180

160

Collector-emitter breakdown voltage I_C=0.1mA,I_B=0

Emitter-base breakdown voltage

collector cut-off current

I_E=100μA,I_C=0

I_E= 0; V_CB= 180V

I_C= 0; V_EB= 4V

V_CE= 5V; I_C= 1mA

0.1

μA

I_EBO

emitter cut-off current

h_FE

DC current gain

_CE= 5V;I_C= 10mA

_CE= 5V;I_C= 50 mA

250

V_CE(sat)

V_BE(sat)

collector-emitter saturation voltage

base-emitter saturation voltage

I_C= 50 mA; I_B= 5 mA

I_C= 10mA; V_CE= 10V;

f = 100MHz

0.5

f_T

transition frequency

MHz

Document number: BL/SSSTC056

Rev.A

www.galaxycn.com

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