MMST5401Q

更新时间： 2024-02-11 07:47:12

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美台 - DIODES		小信号双极晶体管
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2页	43K
描述
PNP, 150V, 0.2A, SOT323

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MMST5401Q 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.71
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	集电极-发射极最大电压：	150 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

MMST5401Q 数据手册

MMST5401

PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features

Epitaxial Planar Die Construction

Complementary NPN Type Available

(MMST5551)

Ideal for Medium Power Amplification and

Switching

Ultra-Small Surface Mount Package

SOT-323

Dim

Min

0.30

1.15

2.00

Max

0.40

1.35

2.20

TOP VIEW

0.65 Nominal

0.30

1.20

1.80

0.0

0.40

1.40

2.20

0.10

1.00

0.40

0.25

Mechanical Data

Case: SOT-323, Molded Plastic

Terminals: Solderable per MIL-STD-202,

Method 208

Terminal Connections: See Diagram

Marking: K4M

Weight: 0.006 grams (approx.)

0.90

0.25

0.10

All Dimensions in mm

@ T_A= 25°C unless otherwise specified

Symbol

Maximum Ratings

Characteristic

MMST5401

-160

Unit

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-150

-5.0

Collector Current - Continuous (Note 1)

Power Dissipation (Note 1)

-200

K/W

°C

P_d

200

R_qJA

T_j, T_STG

Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)

Operating and Storage and Temperature Range

625

-55 to +150

Note:

1. Valid provided that terminals are kept at ambient temperature.

2. Pulse test: Pulse width £ 300ms, duty cycle £ 2%.

DS30170 Rev. B-1

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MMST5401

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