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MMST5401

更新时间： 2024-06-27 12:13:23
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科信 - KEXIN /
页数 文件大小 规格书
1页 329K
描述
PNP Transistor

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MMST5401 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.71
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：150 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

MMST5401 数据手册

  
SMD Type  
Transistors  
PNP Transistors  
MMST5401 (KMST5401)  
■ Features  
● Small Surface Mount Package  
● Ideal for Medium Power Amplificationand Switching  
● Complementary to MMST5551  
1.Base  
2.Emitter  
3.Collector  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃  
Parameter  
Collector - Base Voltage  
Symbol  
Rating  
-160  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
Collector - Emitter Voltage  
Emitter - Base Voltage  
-150  
-5  
Collector Current - Continuous  
Collector Power Dissipation  
Thermal Resistance From Junction To Ambient  
Junction Temperature  
I
C
-600  
mA  
mW  
℃/W  
P
C
200  
RΘJA  
625  
T
J
150  
℃
Storage Temperature Range  
T
stg  
-55 to 150  
■ Electrical Characteristics Ta = 25℃  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
-160  
-150  
-5  
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector- base breakdown voltage  
Collector- emitter breakdown voltage  
Emitter - base breakdown voltage  
Collector-base cut-off current  
Emitter cut-off current  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
Ic= -100 μA， I  
Ic= -1 mA， I = 0  
= -100μA， I = 0  
CB= -120 V , I = 0  
EB= -3V , I =0  
=-10 mA, I =-1mA  
= -50 mA, I  
E= 0  
B
I
E
C
I
CBO  
EBO  
V
V
E
-50  
-50  
-0.2  
-0.5  
-1  
nA  
V
I
C
I
I
I
I
C
B
Collector-emitter saturation voltage  
Base - emitter saturation voltage  
V
CE(sat)  
BE(sat)  
C
C
C
B= -5mA  
=-10 mA, I  
= -50 mA, I  
B=-1mA  
V
B= -5mA  
-1  
h
FE(1)  
FE(2)  
FE(3)  
V
V
V
V
V
CE= -5V, I  
CE= -5V, I  
CE= -5V, I  
C
C
C
= -1mA  
50  
60  
50  
DC current gain  
h
= -10mA  
=- 50mA  
300  
6
h
Collector output capacitance  
Transition frequency  
C
ob  
CB= -10V, I  
CE= -10V, I  
E= 0,f=1MHz  
pF  
f
T
C= -10mA,f=100MHz  
100  
MHz  
■ Marking  
Marking  
K4M  
1
www.kexin.com.cn  
1

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