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MMST5401 PDF预览

MMST5401

更新时间： 2024-01-20 13:08:00
品牌 Logo 应用领域
TYSEMI 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 77K
描述
Ultra-Small Surface Mount Package

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MMST5401 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.71
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：150 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

MMST5401 数据手册

  
Product specification  
MMST5401  
Unit:mm  
SOT-323  
1.3±0.1  
0.65  
1
2
■ Features  
● Ultra-Small Surface Mount Package  
● Ideal for Medium Power Amplification and  
● Complementary NPN Type Available(MMST5551)  
3
+0.05  
0.1  
0.3±0.1  
2.1±0.1  
-0.02  
1 Emitter  
2 Base  
3 Collector  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃  
Parameter  
Collector-base voltage  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rating  
-160  
Unit  
V
Collector-emitter voltage  
-150  
V
Emitter-base voltage  
-5  
V
Collector current-continuous  
Collector Power Dissipation  
Junction and storage temperature  
-0.6  
A
Pc  
200  
mW  
TJ, Tstg  
-55 to +150  
℃
■ Electrical Characteristics Ta = 25℃  
Parameter  
Symbol  
Test conditions  
IC = -100 μA, IE = 0  
V(BR)CEO IC =- 1.0 mA, IB = 0  
Min  
Typ Max  
Unit  
V
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
V(BR)CBO  
-160  
-150  
-5  
V
V(BR)EBO  
ICBO  
V
IE = -10 μA, IC = 0  
VCB =- 120 V, IE = 0  
VEB = -4.0 V, IC = 0  
-0.1  
-0.1  
μA  
μA  
Emitter cutoff current  
IEBO  
IC = -1.0 mA, VCE = -5 V  
IC = -10 mA, VCE = -5 V  
IC = -50 mA, VCE = -5 V  
80  
100  
50  
DC current gain *  
hFE  
300  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
VCE(sat) IC = -50 mA, IB = -5.0 mA  
VBE(sat) IC = -50 mA, IB = -5.0 mA  
-0.5  
-1.0  
V
V
Transiston frequency  
fT  
VCE=-5V,IC=-10mA,f=30MHz  
100  
MHz  
* Pulse Test: Pulse Width = 300 μs, Duty Cycle=2.0%.  
■ Marking  
K4M  
Marking  
http://www.twtysemi.com  
1 of 1  
sales@twtysemi.com  
4008-318-123  
1

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