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MMST3904-TP-HF PDF预览

MMST3904-TP-HF

更新时间： 2024-02-07 18:47:14
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 221K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3

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MMST3904-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.7
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：300 MHz最大开启时间（吨）：70 ns
Base Number Matches：1

MMST3904-TP-HF 数据手册

 浏览型号MMST3904-TP-HF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMST3904-TP-HF的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
MMST3904  
Micro Commercial Components  
Features  
•
•
•
•
·
Epitaxial Planar Die Construction  
Complementary PNP Type available (MMST3906)  
Ultra-small surface mount package  
NPN Small Signal  
Transistors  
Marking : K2N  
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
·
·
·
Moisure Sensitivity Level 1  
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
SOT-323  
A
D
Maxim um Ratings  
C
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Rating  
40  
60  
6.0  
200  
200  
-55 to +150  
-55 to +150  
Unit  
V
V
C
B
V
E
B
Collector Current-Continuous (1)  
Power dissipation (1)  
mA  
mW  
OC  
OC  
F
E
PC  
TJ  
TSTG  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
H
G
J
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
K
OFF CHARACTERISTICS (2)  
DIMENSIONS  
INCHES  
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICEX  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
40  
60  
5.0  
---  
---  
---  
---  
50  
50  
Vdc  
Vdc  
MM  
(I =1.0mAdc, IB=0)  
C
DIM  
A
B
C
D
E
MIN  
.071  
.045  
.083  
MAX  
.087  
.053  
.096  
MIN  
1.80  
1.15  
2.10  
MAX  
NOTE  
Collector-Base Breakdown Voltage  
2.20  
1.35  
2.45  
(I =10uAdc, IE=0)  
C
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Vdc  
.026 Nominal  
0.65Nominal  
1.20  
.30  
.000  
.90  
.100  
.15  
(I =10uAdc, IC=0)  
.047  
.055  
.016  
.004  
.039  
.010  
.016  
1.40  
.40  
.100  
1.00  
.250  
.40  
E
F
.012  
.000  
.035  
.004  
.006  
Collector-Base Cutoff Current  
(VCE=30Vdc, VEB(OFF)=3.0Vdc)  
nAdc  
nAdc  
G
H
J
IBL  
Emitter-Base Cutoff Current  
---  
K
(VCE=30Vdc, VEB(OFF)=3.0Vdc)  
ON CHARACTERISTICS(2)  
Suggested Solder  
Pad Layout  
0.70  
hFE  
DC Current Gain  
(I =100uAdc, VCE=1.0Vdc)  
40  
70  
100  
60  
---  
---  
300  
---  
C
(I =1.0mAdc, VCE=1.0Vdc)  
C
---  
(I =10mAdc, VCE=1.0Vdc)  
C
0.90  
(I =50mAdc, VCE=1.0Vdc)  
C
(I =500mAdc, VCE=1.0Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
30  
---  
C
1.90  
mm  
VCE(sat)  
(I =10mAdc, IB=1.0mAdc)  
---  
---  
0.25  
0.30  
Vdc  
Vdc  
C
(I =50mAdc, IB=5.0mAdc)  
C
VBE(sat)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
0.65  
(I =10mAdc, IB=1.0mAdc)  
0.65  
---  
0.85  
0.95  
C
(I =50mAdc, IB=5.0mAdc)  
C
0.65  
Note: 1. Valid provided that terminals are kept at ambient temperature.  
2. Pulse test: Pulse width<300us, duty cycle<2%  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: C  
2013/09/23  
123

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