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MMST3904-TP

更新时间： 2024-02-15 03:10:26

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美微科 - MCC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	74K
描述
NPN Small Signal Transistors

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MMST3904-TP 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

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MMST3904

Micro Commercial Components

Features

•

Epitaxial Planar Die Construction

NPN Small Signal

Transistors

Complementary PNP Type available (MMST3906)

Ultra-small surface mount package

Marking : K2N

•

Case Material:Molded Plastic. UL Flammability

Classificatio Rating 94-0 and MSL Rating 1

SOT-323

Maxim um Ratings

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Rating

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Rating

6.0

200

-55 to +150

Unit

Collector Current-Continuous ⁽¹⁾

Power dissipation ⁽¹⁾

^OC

P_C

T_J

T_STG

Junction Temperature

Storage Temperature

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS ⁽²⁾

DIMENSIONS

INCHES

V_(BR)CEO

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

I_CEX

Collector-Emitter Breakdown Voltage

5.0

---

Vdc

(I =1.0mAdc, I_B=0)

DIM

MIN

.071

.045

.079

MAX

.087

.053

.087

MIN

1.80

1.15

2.00

MAX

NOTE

Collector-Base Breakdown Voltage

2.20

1.35

2.20

(I =10uAdc, I_E=0)

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Vdc

.026 Nominal

0.65Nominal

1.20

.30

.000

.90

.100

.30

(I =10uAdc, I_C=0)

.047

.055

.016

.004

.039

.010

.016

1.40

.40

.100

1.00

.250

.40

.012

.000

.035

.004

.012

Collector-Base Cutoff Current

(V_CE=30Vdc, V_EB(OFF)=3.0Vdc)

nAdc

I_BL

Emitter-Base Cutoff Current

---

(V_CE=30Vdc, V_EB(OFF)=3.0Vdc)

ON CHARACTERISTICS⁽²⁾

Suggested Solder

Pad Layout

0.70

h_FE

DC Current Gain

(I =100uAdc, V_CE=1.0Vdc)

100

---

300

---

(I =1.0mAdc, V_CE=1.0Vdc)

---

(I =10mAdc, V_CE=1.0Vdc)

0.90

(I =50mAdc, V_CE=1.0Vdc)

(I =500mAdc, V_CE=1.0Vdc)

Collector-Emitter Saturation Voltage

---

1.90

V_CE(sat)

(I =10mAdc, I_B=1.0mAdc)

---

0.25

0.30

Vdc

(I =50mAdc, I_B=5.0mAdc)

V_BE(sat)

Base-Emitter Saturation Voltage

0.65

(I =10mAdc, I_B=1.0mAdc)

0.65

---

0.85

0.95

(I =50mAdc, I_B=5.0mAdc)

0.65

Note: 1. Valid provided that terminals are kept at ambient temperature.

2. Pulse test: Pulse width<300us, duty cycle<2%

www.mccsemi.com

1 of 3

Revision: 4

2008/01/01

12 3

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MMST3904-TP 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
PMST3904,115	NXP	功能相似	PMST3904 - NPN switching transistor SC-70 3-Pin
MMBT3904WT1G	ONSEMI	功能相似	General Purpose Transistors
MMST3904-7-F	DIODES	功能相似	NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

与MMST3904-TP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMST3904-TP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN
MMST3906	ROHM	获取价格	PNP General Purpose Transistor
MMST3906	HTSEMI	获取价格	TRANSISTOR(PNP)
MMST3906	MCC	获取价格	PNP Small Signal Transistors
MMST3906	WINNERJOIN	获取价格	TRANSISTOR (PNP)
MMST3906	BL Galaxy Electrical	获取价格	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor
MMST3906	RECTRON	获取价格	SOT-323 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR (PNP)
MMST3906	TRSYS	获取价格	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMST3906	DIODES	获取价格	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMST3906	CJ	获取价格	SOT-323

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