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MMST3904 PDF预览

MMST3904

更新时间： 2024-01-11 16:57:10
品牌 Logo 应用领域
金誉半导体 - HTSEMI 晶体晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 329K
描述
TRANSISTOR(NPN)

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MMST3904 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.7
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：300 MHz最大开启时间（吨）：70 ns
Base Number Matches：1

MMST3904 数据手册

  
MMST3904  
TRANSISTOR(NPN)  
SOT–323  
FEATURES  
Complementary to MMST3906  
MARKING:K2N  
MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Parameter  
Value  
Unit  
V
1. BASE  
Collector-Base Voltage  
60  
2. EMITTER  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
40  
V
3. COLLECTOR  
5
V
Collector Current  
200  
mA  
mW  
℃/W  
℃
Collector Power Dissipation  
Thermal Resistance From Junction To Ambient  
Junction Temperature  
200  
PC  
625  
RΘJA  
Tj  
150  
Storage Temperature  
Tstg  
-55～+150  
℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test  
conditions  
Min  
60  
40  
5
Typ  
Max  
Unit  
V
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
*
IC=10µA, IE=0  
IC=1mA, IB=0  
IE=10µA, IC=0  
VCB=60V, IE=0  
VCE=40V, IB=0  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
*
*
V
V
ICBO  
*
*
60  
nA  
nA  
ICEO  
500  
Collector cut-off current  
VCE=1V, IC=100µA  
VCE=1V, IC=1mA  
40  
70  
hFE*  
DC current gain  
VCE=1V, IC=10mA  
100  
60  
300  
VCE=1V, IC=50mA  
IC=10mA, IB=1mA  
0.25  
0.3  
V
V
VCE(sat)  
*
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
IC=50mA, IB=5mA  
IC=10mA, IB=1mA  
0.85  
0.95  
V
VBE(sat)  
*
IC=50mA, IB=5mA  
V
fT  
Cob  
Cib  
td  
VCE=20V,IC=10mA , f=100MHz  
VCB=5V, IE=0, f=1MHz  
VEB=0.5V, IE=0, f=1MHz  
VCC=3V, VBE(off)=0.5V IC=10mA,  
IB1=1mA  
300  
MHz  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
Transition frequency  
Collector output capacitance  
Collector output capacitance  
Delay time  
4
8
35  
35  
225  
75  
tr  
Rise time  
ts  
Storage time  
VCC=3V, IC=10mA, IB1= IB2=1mA  
tf  
Fall time  
*Pulse test: pulse width ≤300μs,duty cycle≤ 2.0%.  
1
JinYu  
semiconductor  
www.htsemi.com  
Date:2011/05  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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