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MMST2907A-T

更新时间： 2024-01-18 01:18:38

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美微科 - MCC		/
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Transistor

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MMST2907A-T 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	JESD-609代码：	e0
湿度敏感等级：	1	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

MMST2907A-T 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

MMST2907A

Micro Commercial Components

Features

•

Power dissipation: 200mW (T_amb=25℃)

PNP Small Signal

Transistors

Collector current: -0.6A

Marking Code: K3F

Operating and Storage junction temperature range

-55℃ to + 150℃

•

Case Material: Molded Plastic. UL Flammability

Classification Rating 94V-0

SOT-323

Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

(2)

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CEO

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

I_CBO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I_C=-10mAdc, I_B=0)

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=-10uAdc, I_E=0)

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I_E=-10uAdc, I_C=0)

Collector Cutoff Current

(V_CB=-50Vdc, I_E=0Vdc)

Collector Cutoff Current

(V_CE=-35Vdc, I_B=0Vdc)

Emitter Cutoff Current

-60

-5.0

---

Vdc

---

Vdc

-0.01

-0.05

-0.01

µAdc

I_CEO

---

I_EBO

---

(V_EB=-3Vdc, I_C=0Vdc)

h_FE

DC Current Gain

DIMENSIONS

INCHES

(I_C=-150mAdc, V_CE=-10Vdc)

(I_C=-1mAdc, V_CE=-10Vdc)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=-500mAdc, I_B=-50mAdc)

Base-Emitter Saturation Voltage

(I_C=-500mAdc, I_B=-50mAdc)

Current Gain-Bandwidth Product

(V_CE=-20Vdc, I_C=-50mAdc, f=100MHz)

Output Capacitance

100

300

---

DIM

MIN

.071

.045

.079

MAX

.087

.053

.087

MIN

1.80

1.15

2.00

MAX

2.20

1.35

2.20

NOTE

V_CE(sat)

V_BE(sat)

---

-0.6

Vdc

-1.2

---

Vdc

.026 Nominal

0.65Nominal

1.20

.30

.000

.90

.100

.30

.047

.055

.016

.004

.039

.010

.016

1.40

.40

.100

1.00

.250

.40

f_T

200

MHz

.012

.000

.035

.004

.012

C_ob

---

(V_CB=-10Vdc, f=1.0MHz, I_E=0)

t_d

t_r

t_s

t_f

Delay Time

Rise Time

Storage Time

Fall Time

_CC=-30V,I_C=-150mA,

_BE(off)=-0.5V,I_B1=-15mA

_CC=-30V, I_C=-150mA,

---

Suggested Solder

Pad Layout

0.70

I_B1=I_B2=-15mA

0.90

1.90

0.65

www.mccsemi.com

Revision: 2

2006/05/13

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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MMST2907T146	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMOL
MMST2907T147	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMOL
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