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MMST2907A

更新时间： 2024-01-02 06:38:37
品牌 Logo 应用领域
永而佳 - WINNERJOIN 晶体晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 131K
描述
TRANSISTOR (PNP)

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MMST2907A 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.71
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
最大关闭时间（toff）：110 ns最大开启时间（吨）：35 ns
Base Number Matches：1

MMST2907A 数据手册

  
RoHS  
MMST2907A  
SOT-323  
1. BASE  
MMST2907A  
TRANSISTOR (PNP)  
2. EMITTER  
FEATURES  
3. COLLECTOR  
1. 25¡ À0. 05  
Power dissipation  
PCM:  
0.2  
W (Tamb=25℃)  
2. 30¡ À0. 05  
Collector current  
ICM:  
-0.6  
-60  
A
V
Collector-base voltage  
V(BR) CBO  
:
Unit: mm  
Operating and storage junction temperature range  
TJ, Tstg: -55℃ to +150℃  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Test conditions  
Ic= -10µA, IE=0  
Ic= -10mA, IB=0  
MIN  
-60  
-60  
-5  
MAX  
UNIT  
V
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
V
V
IE= -10µA, IC=0  
VCB= -50V, IE=0  
-0.01  
-0.05  
-0.01  
300  
µA  
µA  
µA  
ICEO  
VCE= -35V, IB=0  
Collector cut-off current  
IEBO  
VEB= -3V, IC=0  
Emitter cut-off current  
hFE(1)  
VCE=-10V, IC= -150mA  
VCE= -10V, IC=-1mA  
IC=-500 mA, IB= -50mA  
IC= -500 mA, IB= -50mA  
100  
100  
DC current gain  
hFE(2)  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
-0.6  
-1.2  
V
V
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
VCE= -20V, IC= -50mA  
f=100MHz  
200  
MHz  
pF  
Transition frequency  
Output Capacitance  
fT  
VCB=-10V, IE= 0  
f=1MHz  
8
Cob  
10  
25  
80  
nS  
nS  
nS  
Delay time  
Rise time  
td  
tr  
VCC=-30V, IC=-150mA  
VBE(off)=-0.5V, IB1=-15mA  
Storage time  
WEJ ELECTRtS ONIC CO.,LTD  
VCC=-30V, IC=-150mA  
IB1= IB2= -15mA  
30  
nS  
Fall time  
tf  
Marking: K3F  
Http:// www.wej.cn  
E-mail:wej@yongerjia.com  
WEJ ELECTRONIC CO.  
1

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