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MMST2907A

更新时间： 2024-02-17 20:27:16

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银河微电 - BL Galaxy Electrical		晶体晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	133K
描述
PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

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MMST2907A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.71
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.6 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
最大关闭时间（toff）：	110 ns	最大开启时间（吨）：	35 ns
Base Number Matches：	1

MMST2907A 数据手册

BL Galaxy Electrical

Production specification

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

MMST2907A

FEATURES

Power dissipation.(P_C=200mW)

Epitaxial planar die construction.

Complements the MMST2222A.

Lead-free

APPLICATIONS

General purpose application.

SOT-323

ORDERING INFORMATION

Type No.

Marking

K3F

Package Code

SOT-323

MMST2907A

MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Symbol

Parameter

Value

Units

Collector-Base Voltage

V_CBO

-60

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

V_CEO

V_EBO

I_C

-60

-5

Collector Current -Continuous

Collector Dissipation

-600

200

℃

P_C

Junction and Storage Temperature

T_j,T_stg

-55~150

Document number: BL/SSSTF050

Rev.A

www.galaxycn.com

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