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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMST2222AP
MMST2222AP PDF预览

MMST2222AP

更新时间： 2024-02-18 12:00:58
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 77K
描述
TRANSISTOR 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Small Signal

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MMST2222AP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.7Base Number Matches：1

MMST2222AP 数据手册

 浏览型号MMST2222AP的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
MMST2222A  
Micro Commercial Components  
Features  
NPN  
•
•
•
Power Dissipation: 0.2W  
Ultra-small surface mount package  
Marking: K3P  
Plastic-Encapsulate  
Transistors  
•
Case Material:Molded Plastic. UL Flammability  
Classificatio Rating 94-0 and MSL Rating 1  
Maxim um Ratings  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Cut-off Current  
(VCB=70V, IE=0)  
Rating  
40  
75  
Unit  
V
V
SOT-323  
A
D
VEBO  
6.0  
V
C
ICBO  
ICEO  
IEBO  
100  
100  
100  
mA  
mA  
mA  
C
B
Collector Cut-off Current  
(VCE=35V, IB=0)  
E
B
Emitter Cut-off Current  
(VEB=3V, IC=0)  
F
E
PC  
TJ  
Power dissipation (1)  
Junction Temperature  
200  
-55 to +150  
-55 to +150  
mW  
R
Storage Temperature  
R
TSTG  
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
H
G
J
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
K
(2)  
OFF CHARACTERISTICS  
DIMENSIONS  
INCHES  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=1.0mAdc, IB=0)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=10mAdc, IE=0)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IE=10uAdc, IC=0)  
(2)  
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
40  
75  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
MM  
DIM  
A
B
C
D
E
MIN  
.071  
.045  
.079  
MAX  
.087  
.053  
.087  
MIN  
1.80  
1.15  
2.00  
MAX  
NOTE  
2.20  
1.35  
2.20  
6.0  
.026 Nominal  
0.65Nominal  
1.20  
.30  
.000  
.90  
.100  
.30  
.047  
.055  
.016  
.004  
.039  
.010  
.016  
1.40  
.40  
.100  
1.00  
.250  
.40  
ON CHARACTERISTICS  
F
.012  
.000  
.035  
.004  
.012  
DC Current Gain  
G
H
J
hFE  
---  
---  
(IC=150mAdc, VCE=10Vdc)  
(IC=1.0mAdc, VCE=10Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=500mAdc, IB=50mAdc)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=500mAdc, IB=50mAdc)  
Transition Frequency  
100  
50  
300  
---  
K
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
Vdc  
Vdc  
Hz  
---  
0.6  
Suggested Solder  
Pad Layout  
0.70  
---  
1.2  
---  
300  
(VCE=20V, IC=20mA, f=100MHz)  
Output Capacitance  
(VCB=10V, IE=0mA, f=1MHz)  
Delay Time  
(VCC=30V , Icc=150mA ,VBE(off)=0.5V,  
IB1=15mA)  
Rise Time  
Cob  
---  
---  
8
pF  
0.90  
td  
tr  
10  
ns  
ns  
1.90  
(VCC=30V , Icc=150mA ,VBE(off)=0.5V,  
---  
25  
IB1=15mA)  
0.65  
Storage Time  
(VCC=30V , Icc=150mA , IB1=IB2=15mA)  
Fall Time  
ts  
tf  
---  
---  
225  
60  
ns  
ns  
0.65  
(VCC=30V , Icc=150mA , IB1=IB2=15mA)  
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: 3  
2008/01/01  
12

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
MMST2222AQ YANGJIE SOT-323

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