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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.32 |
| 其他特性： | ESD PROTECTED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 7.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.03 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 2.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMSF7P03HD | MOTOROLA |
获取价格 |
SINGLE TMOS POWER MOSFET 30 VOLTS |
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| MMSF7P03HD | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 7 A, 30 V, P−Channel SO−8 |
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| MMSF7P03HDR2 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 7 A, 30 V, P−Channel SO−8 |
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| MMSF7P03HDR2 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.035ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| MMSF7P03HDR2G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 7 A, 30 V, P−Channel SO−8 |
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| MMSK22-SP | ALTECH |
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Proximity Sensor, |
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| MMSP-11-A-SG | ADAM-TECH |
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Memory Stick |
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| MMSPN050-C53 | MACOM |
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Microstrip PIN Diodes |
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| MMSPN050-C54 | MACOM |
获取价格 |
Microstrip PIN Diodes |
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| MMSS-02-20C-F-03.00-S | SAMTEC |
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Board Connector |
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