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MMFTP84DW

更新时间： 2024-11-26 14:54:31

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小信号金氧半電晶體

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MMFTP84DW 数据手册

MMFTP84DW

Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• Energy Efficient

Q1:1. Source 2. Gate 6. Drain

Q2:4. Source 5. Gate 3. Drain

SOT-363 Plastic Package

Applications

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)(Q1/Q2)

Parameter

Symbol

-V_DS

V_GS

-I_D

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

± 20

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ¹⁾

130

℃

-I_DM

P_D

520

Power Dissipation ²⁾

380

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

T_j

- 55 to + 150

T_stg

℃

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

328

Unit

Thermal Resistance from Juntion to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

℃

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

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Dated: 07/07/2021 Rev:01

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