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MMFTN8810KD

更新时间： 2024-11-28 14:55:31

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描述
小信号金氧半電晶體

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MMFTN8810KD 数据手册

MMFTN8810KD

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• Typical ESD Protection HBM Class 1C

Classification

Voltage Range (V)

< 125

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥8000

Q1: 1. Source 2,5. Drain 6. Gate

Q2: 3. Source 2,5. Drain 4. Gate

SOT-26 Plastic Package

• Extremely low threshold voltage

Applications

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

V_DS

V_GS

I_D

± 12

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

I_DM

P_D

T_j

Power Dissipation

1.5

℃

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

Symbol

R_θJA

Value

83.3

Unit

℃/W

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate.

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Dated: 17/10/2020 Rev: 02

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