Datasheet > MMFTN8205D

MMFTN8205D

更新时间： 2024-11-28 14:55:23

品牌	Logo	应用领域
先科 - SWST		/
页数	文件大小	规格书
7页	355K
描述
小信号金氧半電晶體

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MMFTN8205D 数据手册

MMFTN8205D

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• Low on-resistance

• Low drive current

Q1: 1. Source 2,5. Drain 6. Gate

Q2: 3. Source 2,5. Drain 4. Gate

SOT-26 Plastic package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

V_DS

V_GS

I_D

± 8

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

I_DM

Power Dissipation

P_D

0.96

℃

Operating and Storage Temperature Range

T_j,T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

130

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

℃/W

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

1 / 7

Dated: 12/11/2020 Rev: 01

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与MMFTN8205D相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMFTN8342D	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMFTN8408KE	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMFTN8728D	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMFTN8810KD	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMFTNIX3230KEW	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMFTNIX3230KEW-CH	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMFTP0420KE	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMFTP0421E	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMFTP0421KE	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMFTP1013KW	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體