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MMFTN6308KDW

更新时间: 2024-11-06 14:56:03
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先科 - SWST /
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描述
小信号金氧半電晶體

MMFTN6308KDW 数据手册

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MMFTN6308KDW  
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
Features  
• Typical ESD Protection HBM Class 2  
Classification  
Voltage Range(V)  
0A  
0B  
1A  
1B  
1C  
2
< 125  
125 to < 250  
250 to < 500  
500 to < 1000  
1000 to < 2000  
2000 to < 4000  
4000 to < 8000  
8000  
Q1: 1.Source 2.Gate 6.Drain  
Q2: 4.Source 5.Gate 3.Drain  
SOT-363 Plastic Package  
3A  
3B  
Applications  
• Portable appliances  
Absolute Maximum Ratings(Ta = 25) (Q1/Q2)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
VGS  
ID  
Value  
30  
Unit  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current  
Peak Drain Current, Pulsed 1)  
± 20  
0.25  
1.2  
V
A
IDM  
A
300 2)  
400 3)  
Power Dissipation  
PD  
mW  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Tj  
- 55 to + 150  
- 55 to + 150  
Tstg  
Thermal Characteristics  
Parameter  
Symbol  
RθJA  
Max.  
435  
330  
Unit  
Thermal Resistance from Junction to Ambient 2)  
Thermal Resistance from Junction to Ambient 3)  
1) Pulse Test: Pulse Width 100 μs, Duty Cycle 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature TJ(MAX)  
2) Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad.  
3) Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate.  
/W  
/W  
.
1 / 6  
®
Dated: 29/03/2021 Rev: 01  

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