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MMFTN6301KD

更新时间： 2024-11-06 14:56:03

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小信号金氧半電晶體

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MMFTN6301KD 数据手册

MMFTN6301KD

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• Surface-mounted package

• Gate-Source Zener for ESD ruggedness

> 6KV Human Body Model

• Typical ESD Protection HBM Class 3A

Classification

Voltage Range(V)

< 125

Q1: 1. Gate 5. Source 6. Drain

Q2: 3. Gate 2. Source 4. Drain

SOT-26 Plastic Package

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Applications

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)(Q1/Q2)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

V_DS

V_GS

220

I_D

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

I_DM

1.2

Power Dissipation ²⁾

P_tot

350

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j,T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics(Q1/Q2)

Parameter

Symbol

R_θJA

Value

357

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse width ≤ 100 µs, duty cycle ≤ 2 %, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

℃/W

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

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Dated: 05/05/2022 Z Rev:01

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