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MMFTN6244

更新时间: 2024-11-28 14:55:39
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先科 - SWST /
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描述
小信号金氧半電晶體

MMFTN6244 数据手册

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MMFTN6244  
N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
Features  
Drain  
• Surface-mounted package  
Gate  
Applications  
• Portable appliances  
1. Gate 2. Source 3. Drain  
SOT-23 Plastic Package  
Source  
• Battery management  
Absolute Maximum Ratings(at Ta = 25unless otherwise specified)  
Parameter Symbol  
Value  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current  
VDSS  
VGSS  
ID  
20  
± 12  
V
V
6.3  
A
Peak Drain Current, Pulsed 1)  
IDM  
32  
A
Total Power Dissipation 2)  
Ptot  
1.3  
W
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Tj, Tstg  
- 55 to + 150  
Thermal Characteristics  
Parameter  
Symbol  
RθJA  
Max.  
Unit  
t 10 s  
Steady State  
96  
100  
Thermal Resistance from Junction to Ambient 2)  
/W  
1) Pulse Test: Pulse Width 100 μs, Duty Cycle 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature TJ(MAX)=150°C.  
2) Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.  
1 / 6  
®
Dated: 10/03/2023 Rev:01  

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