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MMFTN620K

更新时间： 2024-11-25 14:55:23

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先科 - SWST		/
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6页	578K
描述
小信号金氧半電晶體

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MMFTN620K 数据手册

MMFTN620K

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Drain

Features

• ESD protected

Gate

Applications

• Portable appliances

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

Source

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_DS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Drain-Gate Voltage

V_GS

± 20

Drain Current (Steady State) ¹⁾

at V_GS= 4.5 V

Drain Current (t < 5s) ¹⁾

at V_GS= 4.5 V

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

(10 µs Pulse, Duty Cycle = 1%)

380

300

T_a= 25℃

T_a= 70℃

I_D

T_a= 25℃

T_a= 70℃

430

340

I_DM

1.2

Total Power Dissipation ¹⁾

P_tot

590

380

℃

Total Power Dissipation ²⁾

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Value

Unit

Thermal Resistance from Juntion to Ambient ¹⁾

℃/W

t < 5s

Steady State

117

216

Thermal Resistance from Juntion to Ambient ²⁾

℃/W

t < 5s

Steady State

R_θJA

292

338

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate

²⁾Device mounted on FR-4 PCB, with minimum recommended pad layout.

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Dated: 04/09/2020 Rev: 02

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